RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Compara
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
34
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
16.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
26
Velocidad de lectura, GB/s
16.8
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
11.3
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2968
3648
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link