RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Compara
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
34
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
16.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
26
Velocidad de lectura, GB/s
16.8
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
11.3
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2968
3648
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston ACR16D3LU1KBG/4G 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link