RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
11.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2968
3648
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link