RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3648
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link