RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Compara
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
76
En 55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
8.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
76
Velocidad de lectura, GB/s
16.8
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.3
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2968
1887
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9P1 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link