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Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Compara
Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Puntuación global
Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.1
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
38
En -31% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
38
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.1
12.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2264
2171
Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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