Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Puntuación global
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    29 left arrow 47
    En 38% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12 left arrow 9.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.1 left arrow 5.9
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    29 left arrow 47
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.0 left arrow 9.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.1 left arrow 5.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2171 left arrow 1413
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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