Porównanie pamięci RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Wynik ogólny

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

29 47

Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

12 9.3

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

8.1 5.9

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2171 1413

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns