Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB vs Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    29 left arrow 45
    Wokół strony 36% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    12 left arrow 11.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    12800 left arrow 10600
    Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    29 left arrow 45
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.0 left arrow 11.9
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.1 left arrow 8.1
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2171 left arrow 2077
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania