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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB vs Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
45
Rund um 36% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Rund um 1.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
29
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
8.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
12800
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2171
2077
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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