RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB vs Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
45
Intorno 36% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12
11.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
29
45
Velocità di lettura, GB/s
12.0
11.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
12800
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2171
2077
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link