RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB vs Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
45
Autour de 36% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
29
45
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
11.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
12800
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2171
2077
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
AMD R744G2400U1S 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link