RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB против Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Средняя оценка
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
45
Около 36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
29
45
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
11.9
Скорость записи, Гб/сек
8.1
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
12800
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2171
2077
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
AMD R744G2133U1S 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link