Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB против Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

-->

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Средняя оценка

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 45

Около 36% меньшая задержка
Выше скорость чтения

12 11.9

Среднее значение в тестах

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

12800 10600

Около 1.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

29 45
Скорость чтения, Гб/сек

12.0 11.9
Скорость записи, Гб/сек

8.1 8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 12800

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2171 2077

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB

Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB

Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB

Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB

модули RAM

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB

Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB

модули RAM

Corsair VS1GB533D2 1GB

Corsair VS1GB533D2 1GB

G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB

G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB

Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB

модули RAM