RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
59
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
59
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
9.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2128
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link