RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
59
Autour de 14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
59
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
9.0
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2128
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link