RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
39
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
14.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
1966
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link