RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
39
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.4
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
1966
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link