RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
39
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
39
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
1966
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link