RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
77
Около 55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.7
13.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
5.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
77
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
13.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
5.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
1440
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link