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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
77
En 55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
13.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
5.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
77
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
13.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
5.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
1440
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
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Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
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