RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
77
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
5.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
77
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
1440
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link