RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
35
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2852
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link