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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
35
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
35
读取速度,GB/s
10.6
15.8
写入速度,GB/s
6.8
12.4
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2852
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
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