RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
77
Autour de 55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
77
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
13.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
5.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
1440
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link