Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Gesamtnote
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    29 left arrow 47
    Rund um 38% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12 left arrow 9.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.1 left arrow 5.9
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    29 left arrow 47
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.0 left arrow 9.3
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.1 left arrow 5.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2171 left arrow 1413
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