RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

29 47

Rund um 38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

12 9.3

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

8.1 5.9

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2171 1413

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns