RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
38
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
36
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.4
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2919
2690
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link