RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2690
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-009.A00LF 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
DATARAM 2133MHz 11-11-11 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link