RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2690
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link