RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
66
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
13.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
66
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
1877
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
A-DATA Technology DDR3 2133X 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link