RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
56
Wokół strony 70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
56
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
2200
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link