RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3020
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link