RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
34
Intorno 21% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
34
Velocità di lettura, GB/s
11.8
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
3020
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link