RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
39
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
39
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2600
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link