RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    33 left arrow 39
    Около 15% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    17.8 left arrow 17.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 10.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 19200
    Около 1.33% выше полоса пропускания
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    33 left arrow 39
  • Скорость чтения, Гб/сек
    17.8 left arrow 17.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 10.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    25600 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    3285 left arrow 2600

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
модули RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
модули RAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
модули RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
модули RAM
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
модули RAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
модули RAM
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
модули RAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
модули RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
модули RAM