Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 30
    Около -11% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.7 left arrow 10.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.7 left arrow 6.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 8500
    Около 2.26 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    30 left arrow 27
  • Скорость чтения, Гб/сек
    10.6 left arrow 13.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    6.8 left arrow 8.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    8500 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1479 left arrow 2193
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения