RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
42
Около 31% меньшая задержка
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
42
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2737
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link