RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
42
Около 31% меньшая задержка
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
42
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2737
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link