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Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
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Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.1
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Por volta de 1.21% maior largura de banda
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
38
Por volta de -31% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
38
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.1
12.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.1
8.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2264
2171
Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
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