RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
28
Por volta de 14% menor latência
Razões a considerar
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
28
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
14.2
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3366
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link