RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB

Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 28
    Около 14% меньшая задержка
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB Причины выбрать
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    17.3 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    14.2 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 17.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 14.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 3366

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
модули RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
модули RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
модули RAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
модули RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
модули RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
модули RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
модули RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
модули RAM
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
модули RAM