Comparação RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Pontuação geral

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

30 40

Por volta de 25% menor latência

Razões a considerar
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

13.3 8.8

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

8.2 5.6

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

12800 10600

Por volta de 1.21 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1344 2288

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns