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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
40
En 25% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
5.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
30
40
Velocidad de lectura, GB/s
8.8
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.6
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
12800
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1344
2288
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
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