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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
总分
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
40
左右 25% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.3
8.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
30
40
读取速度,GB/s
8.8
13.3
写入速度,GB/s
5.6
8.2
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1344
2288
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