Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB против Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    30 left arrow 40
    Около 25% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.3 left arrow 8.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.2 left arrow 5.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    12800 left arrow 10600
    Около 1.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    30 left arrow 40
  • Скорость чтения, Гб/сек
    8.8 left arrow 13.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.6 left arrow 8.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1344 left arrow 2288
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения