RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB против Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
40
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.3
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.2
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
30
40
Скорость чтения, Гб/сек
8.8
13.3
Скорость записи, Гб/сек
5.6
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
12800
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1344
2288
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB Сравнения RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link