RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB против Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
40
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.3
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.2
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
30
40
Скорость чтения, Гб/сек
8.8
13.3
Скорость записи, Гб/сек
5.6
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
12800
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1344
2288
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB Сравнения RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link