RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB против Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
40
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.3
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.2
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
30
40
Скорость чтения, Гб/сек
8.8
13.3
Скорость записи, Гб/сек
5.6
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
12800
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1344
2288
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB Сравнения RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link