Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Note globale
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

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Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    30 left arrow 40
    Autour de 25% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    13.3 left arrow 8.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.2 left arrow 5.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    12800 left arrow 10600
    Autour de 1.21 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    30 left arrow 40
  • Vitesse de lecture, GB/s
    8.8 left arrow 13.3
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    5.6 left arrow 8.2
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1344 left arrow 2288
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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