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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Compara
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
5.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
34
Velocidad de lectura, GB/s
16.8
9.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.3
5.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2968
1839
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
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