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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
9.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
5.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
34
读取速度,GB/s
16.8
9.6
写入速度,GB/s
11.3
5.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
1839
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
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