RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Compara
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Puntuación global
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
36
En 6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
16
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
36
Velocidad de lectura, GB/s
16.8
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.3
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2968
2353
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link