RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Compara
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
28
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
18.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
21
Velocidad de lectura, GB/s
18.2
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.5
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3067
3356
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link