Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

Puntuación global
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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Puntuación global
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    21 left arrow 51
    En -143% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    18.6 left arrow 10.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    14.0 left arrow 7.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 10600
    En 1.6 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    51 left arrow 21
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.2 left arrow 18.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.6 left arrow 14.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2049 left arrow 3356
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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