Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

Note globale
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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

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Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    21 left arrow 51
    Autour de -143% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    18.6 left arrow 10.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    14.0 left arrow 7.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 10600
    Autour de 1.6 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    51 left arrow 21
  • Vitesse de lecture, GB/s
    10.2 left arrow 18.6
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    7.6 left arrow 14.0
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2049 left arrow 3356
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons