Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

Gesamtnote
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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Gesamtnote
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

Unterschiede

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    21 left arrow 51
    Rund um -143% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    18.6 left arrow 10.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    14.0 left arrow 7.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 10600
    Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    51 left arrow 21
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.2 left arrow 18.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.6 left arrow 14.0
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2049 left arrow 3356
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche